LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時間特性以及熱學(xué)特性。 r^9.aE9F  
  1、LED電學(xué)特性 ,-M^hA$4`[1]  
  1.1 I-V特性表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線性、整流性質(zhì)：單向?qū)щ娦?，即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。=0  如左圖： \'f^2hP K  
  （1） 正向死區(qū)：（圖oa或oa′段）a點對于V0 為開啟電壓，當(dāng)V＜Va，外加電場尚克服不少因載流子擴(kuò)散而形成勢壘電場，此時R很大；開啟電壓對于不同LED其值不同，GaAs為1V，紅色GaAsP為1.2V，GaP為1.8V，GaN為2.5V。   
 （2）正向工作區(qū)：電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系N# Vu6"yD  
  IF = IS （e qVF/KT –1） -------------------------IS 為反向飽和電流。 CUJn­7{7  
  V＞0時，V＞VF的正向工作區(qū)IF 隨VF指數(shù)上升 IF = IS e qVF/KT K~oA j //  
 （3）反向死區(qū)：V＜0時pn結(jié)加反偏壓k L_<7'Cw  
  V= - VR 時，反向漏電流IR（V= -5V）時，GaP為0V，GaN為10uA。 ="|l0 W\  
 （4）反向擊穿區(qū) V＜- VR ，VR 稱為反向擊穿電壓；VR 電壓對應(yīng)IR為反向漏電流。當(dāng)反向偏壓一直增加使V＜- VR時，則出現(xiàn)IR突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于所用化合物材料種類不同，各種LED的反向擊穿電壓VR也不同。 |t!Pms'D7  
  1.2 C-V特性 6?JW?.Ap  
 鑒于LED的芯片有9×9mil （250×250um），10×10mil，11×11mil （280×280um），12×12mil （300×300um），故pn結(jié)面積大小不一，使其結(jié)電容（零偏壓）C≈n+pf左右。 Er,R?sBJ.  
  C-V特性呈二次函數(shù)關(guān)系（如圖2）。由1MHZ交流信號用C-V特性測試儀測得。 -O#&'lhe{  
  1.3 zui大允許功耗PF m .lfE`LX K  
 當(dāng)流過LED的電流為IF、管壓降為UF則功率消耗為P=UF×IF A>0"6%  
  LED工作時，外加偏壓、偏流一定促使載流子復(fù)合發(fā)出光，還有一部分變?yōu)闊?，使結(jié)溫升高。若結(jié)溫為Tj、外部環(huán)境溫度為Ta，則當(dāng)Tj＞Ta時，內(nèi)部熱量借助管座向外傳熱，散逸熱量（功率），可表示為P = KT（Tj – Ta）。 ;tP$p9*z  
  1.4 響應(yīng)時間 g].j'S6  
 響應(yīng)時間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢?，F(xiàn)有幾種顯示LCD（液晶顯示）約10-3~10-5S，CRT、PDP、LED都達(dá)到10-6~10-7S（us級）。 2_eDg­r *{  
 ①響應(yīng)時間從使用角度來看，就是LED點亮與熄滅所延遲的時間，即圖中tr 、tf 。圖中t0值很小，可忽略。 ^W%k>­+d+  
 ②響應(yīng)時間主要取決于載流子壽命、器件的結(jié)電容及電路阻抗。 J,xl4- gi  
  LED的點亮?xí)r間——上升時間tr是指接通電源使發(fā)光亮度達(dá)到正常的10%開始，一直到發(fā)光亮度達(dá)到正常值的90%所經(jīng)歷的時間。 N3mC  
  LED 熄滅時間——下降時間tf是指正常發(fā)光減弱至原來的10%所經(jīng)歷的時間。

   不同材料制得的LED響應(yīng)時間各不相同；如GaAs、GaAsP、GaAlAs其響應(yīng)時間＜10-9S，GaP為10-7 S。因此它們可用在10~100MHZ高頻系統(tǒng)。 gB - 

2 LED光學(xué)特性 Q+ wAH,=_  
 發(fā)光二極管有紅外（非可見）與可見光兩個系列，前者可用輻射度，后者可用光度學(xué)來量度其光學(xué)特性。 xig53v  
  2.1 發(fā)光法向光強(qiáng)及其角分布Iθ f9?&SVg^`  
  2.1.1 發(fā)光強(qiáng)度（法向光強(qiáng)）是表征發(fā)光器件發(fā)光強(qiáng)弱的重要性能。LED大量應(yīng)用要求是圓柱、圓球封裝，由于凸透鏡的作用，故都具有很強(qiáng)指向性：位于法向方向光強(qiáng)zui大，其與水平面交角為90°。當(dāng)偏離正法向不同θ角度，光強(qiáng)也隨之變化。發(fā)光強(qiáng)度隨著不同封裝形狀而強(qiáng)度依賴角方向。 V7_）lHp~  
  2.1.2 發(fā)光強(qiáng)度的角分布Iθ是描述LED發(fā)光在空間各個方向上光強(qiáng)分布。它主要取決于封裝的工藝（包括支架、模粒頭、環(huán)氧樹脂中添加散射劑與否） t+F< n6@R  
 ⑴為獲得高指向性的角分布（如圖1） %rAK\OQN2  
 ① LED管芯位置離模粒頭遠(yuǎn)些； !b`p;|Qt  
 ②使用圓錐狀的模粒頭； TpEY1
 ③封裝的環(huán)氧樹脂中勿加散射劑。 \
j?>）u?b  
 采取上述措施可使LED 2θ1/2 = 6°左右，大大提高了指向性。 VpuPO\VQ  
 ⑵當(dāng)前幾種常用封裝的散射角（2θ1/2角）圓形LED：5°、10°、30°、45° 2[1]SJ 2MFl  
  2.2 發(fā)光峰值波長及其光譜分布 

 ⑴ LED發(fā)光強(qiáng)度或光功率輸出隨著波長變化而不同，繪成一條分布曲線——光譜分布曲線。當(dāng)此曲線確定之后，器件的有關(guān)主波長、純度等相關(guān)色度學(xué)參數(shù)亦隨之而定。 !>;`